半導体チップの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-018806
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218196
出願日： 1992年02月04日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】半導体基板1を複数のチップ9に分割する際、割れ、欠けを防ぐ。【構成】半導体基板1の裏面を研削して、半導体基板を薄くした後、裏面に多結晶シリコン層6を2μmより厚く成長させる。この後、半導体基板1をダイシングして複数のチップ9を得る。

請求項（抜粋）：

半導体基板の裏面を研削する工程と、この研削された半導体基板の裏面に2μmより厚く多結晶シリコンを成長させる工程と、この後、前記半導体基板表面に形成されたスクライブラインに沿って半導体基板をスクライブすることにより、半導体チップを得る工程とを有する半導体チップの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/78 , H01L 21/304 331

引用特許：

審査官引用 (5件)

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