特許

J-GLOBAL ID：200903022126778219

異物検査方法およびその装置

発明者： 秋山 実 ,  越中 昌夫 ,  田中 均 ,  友田 利正
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-202579
公開番号（公開出願番号）：特開平5-018889
出願日： 1991年07月15日
公開日（公表日）： 1993年01月26日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウェハの異物検査において、従来の方法では検知できなかった、半導体ウェハ上に存在する微細な異物を検知することを可能とする。【構成】 膜付ウェハの表面に対してレーザービームを照射して走査し、そのウェハ表面から発生する散乱光を、S偏光の散乱光とP偏光の散乱光のそれぞれの光強度を検出し、S偏光の散乱光とP偏光の散乱光の両者の強度比に基づいてウェハの表面粗さによる散乱光と異物の散乱光を弁別し、これに基づいて半導体ウェハ上に存在する超微細な異物の存在を判定する。

請求項（抜粋）：

膜付ウェハ上に偏光レーザを照射し、発生する散乱光を測定することで微細な異物の有無を判定する方法において、半導体ウェハの表面に対してレーザビームを照射して走査し、そのウェハ表面で発生する散乱光のうち、S偏光の散乱光とP偏光の散乱光のそれぞれの強度を検出し、S偏光の散乱光強度とP偏光の散乱光強度の両者の強度比に基づいてウェハの表面粗さによる散乱光と異物の散乱光を弁別し、半導体ウェハ上の超微細な異物の存在を報知することを特徴とする異物検査方法。

IPC (5件)：

G01N 21/00 ,  G01B 11/30 ,  G01N 21/21 ,  G01N 21/47 ,  H01L 21/66