特許

J-GLOBAL ID：200903022129079044

透明導電性積層体

発明者： 山崎 文晴 ,  福田 伸 ,  福田 信弘
出願人/特許権者： 三井東圧化学株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-162101
公開番号（公開出願番号）：特開平9-011390
出願日： 1995年06月28日
公開日（公表日）： 1997年01月14日
要約：

【要約】【構成】 透明高分子基体(A)の一方の主面に、主として酸化インジウムからなる透明導電層(B)と、スパッタリング法によって形成した銅からなる第一の金属薄膜層(C)と、チタン、タンタル、ニッケル、パラジウム、バナジウム、クロム、ニオブのいずれか、またはそれらの2種以上の合金からなる第二の金属薄膜層(D)をABCDなる構成で形成した透明導電性積層体。【効果】 低シート抵抗、孔可視光透過率を有し、さらにこれを用いてエレクトロルミネッセンスディスプレイを形成すると発光継続時の輝度低下を著しく抑制し、さらに透明導電性積層体と発光層をの密着性をも増強した、耐久性に優れたものが得られる。

請求項（抜粋）：

透明高分子基体(A)の一方の主面に、少なくとも、主として酸化インジウムからなる透明導電層(B)と、スパッタリング法によって形成した銅からなる第一の金属薄膜層(C)と、チタン、タンタル、ニッケル、パラジウム、バナジウム、クロム、ニオブのいずれか、またはそれらの2種以上の合金からなる第二の金属薄膜層(D)をABCDなる構成で形成したことを特徴とする透明導電性積層体。

IPC (6件)：

B32B 9/00 ,  B32B 7/02 105 ,  B32B 15/04 ,  B32B 15/08 ,  C23C 14/08 ,  H01B 5/14

FI (6件)：

B32B 9/00 A ,  B32B 7/02 105 ,  B32B 15/04 Z ,  B32B 15/08 E ,  C23C 14/08 N ,  H01B 5/14 A