特許

J-GLOBAL ID：200903022132878144

半導体装置

発明者： 三橋 順一 ,  小守 純子
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-327098
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136275
出願日： 1991年11月13日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】 配線幅の異なる第1アルミ配線層4bと第2アルミ配線層61とをスルーホール51で接続した多層配線構造において、上記スルーホール51内のアルミ層でのエレクトロマイグレーション耐性を向上させる。【構成】 第2アルミ配線層61を、その本線6bと、その一部をこれが第1アルミ配線層4b上にアルミ配線層の幅程度の長さに渡って重なるよう延長した延長部分6aとから構成し、該延長部分6aと第1アルミ配線層4bとをスルーホール51によって接続した。

請求項（抜粋）：

配線幅の異なる複数の配線層を各層相互間を絶縁して積層し、所定の配線層同士をスルーホールにより接続してなる多層配線構造を有する半導体装置において、上記スルーホールによって接続されている上,下層の配線層のうち配線幅の広い方の配線層は、配線幅の狭い方の配線層と上下に重なるよう延長されたこれと略同一配線幅の延長部分を有し、この延長部分とその上側あるいは下側の配線幅の狭い配線層とをスルーホールによって接続したものであることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/3205

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭64-044048
  
• 特開昭61-140149