絶縁ゲート型半導体素子のゲート駆動回路およびそれを用いた電力変換装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-281991
公開番号（公開出願番号）：特開2002-095240
出願日： 2000年09月18日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】【課題】絶縁ゲート型半導体素子のゲートしきい値電圧のばらつきを考慮せずに、電圧,電流定格を最大限に活用すること。【解決手段】複数個の絶縁ゲート型半導体素子1A,1Bを互いに並列接続して構成される絶縁ゲート型半導体アームにおける、絶縁ゲート型半導体素子1A,1Bのゲートを駆動するゲート駆動回路において、絶縁ゲート型半導体素子1A,1Bのターンオン時に、各々の絶縁ゲート型半導体素子1A,1B間の電流差が所定電流よりも大きくなった時に動作して、絶縁ゲート型半導体素子1A,1Bのゲート抵抗を通常時よりも小さくする手段4c,5c,8を備える。

請求項（抜粋）：

複数個の絶縁ゲート型半導体素子を互いに並列接続して構成される絶縁ゲート型半導体アームにおける、前記絶縁ゲート型半導体素子のゲートを駆動するゲート駆動回路において、前記絶縁ゲート型半導体素子のターンオン時に、前記各々の絶縁ゲート型半導体素子間の電流差が所定電流よりも大きくなった時に動作して、前記絶縁ゲート型半導体素子のゲート抵抗を通常時よりも小さくする手段を備えて成ることを特徴とする絶縁ゲート型半導体素子のゲート駆動回路。

IPC (6件)：

H02M 1/08 341 , H02M 1/08 , H02M 7/48 , H03K 17/10 , H03K 17/12 , H03K 17/56

FI (7件)：

H02M 1/08 341 B , H02M 1/08 341 A , H02M 1/08 341 C , H02M 7/48 M , H03K 17/10 , H03K 17/12 , H03K 17/56 Z

Fターム (43件)：

5H007AA05 , 5H007AA06 , 5H007AA17 , 5H007BB05 , 5H007BB06 , 5H007CA01 , 5H007CB04 , 5H007CB05 , 5H007CC07 , 5H007DA05 , 5H007DB03 , 5H007DC02 , 5H007FA03 , 5H007FA13 , 5H740AA08 , 5H740BA11 , 5H740BB02 , 5H740BB08 , 5H740BB10 , 5H740KK01 , 5H740MM11 , 5H740NN17 , 5J055AX11 , 5J055AX55 , 5J055AX56 , 5J055BX16 , 5J055CX07 , 5J055CX19 , 5J055DX09 , 5J055DX72 , 5J055DX73 , 5J055EX17 , 5J055EX19 , 5J055EX20 , 5J055EY01 , 5J055EY12 , 5J055EZ00 , 5J055EZ51 , 5J055FX04 , 5J055FX13 , 5J055FX18 , 5J055FX31 , 5J055GX01

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