特許

J-GLOBAL ID：200903022136188487

半導体製造装置

発明者： 川本 浩 ,  片伯部 一郎 ,  宮下 直人
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-003052
公開番号（公開出願番号）：特開平9-190982
出願日： 1996年01月11日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：

【要約】【課題】高速かつ均一に拡散炉内を冷却することのできる高速強制空冷機構を備え、拡散炉の内部を高清浄に保ち、設置場所を自由に設定することのできる半導体製造装置を提供する。【解決手段】複数枚の半導体基板2を搭載するための治具1と、この治具1に搭載された半導体基板2を収納する反応室を構成する筐体3と、この筐体3の周囲に設置されたヒータ5と、このヒータ5と筐体3との間の空間に気体を導入する気体導入手段6と、空間から気体を排出する気体排出手段7、10とを具備し、気体排出手段7、10により排出された気体の温度を制御する制御手段9と、制御手段9により温度が制御された気体を気体導入手段6に供給する供給手段8とを具備する。

請求項（抜粋）：

複数枚の半導体基板を搭載するための治具と、この治具に搭載された前記半導体基板を収納する反応室を構成する筐体と、この筐体の周囲に設置されたヒータと、このヒータと前記筐体との間の空間に気体を導入する気体導入手段と、前記空間から前記気体を排出する気体排出手段とを具備する半導体製造装置において、前記気体排出手段により排出された前記気体の温度を制御する制御手段と、前記制御手段により温度が制御された気体を前記気体導入手段に供給する供給手段とを具備することを特徴とする半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/22 511 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/324

FI (4件)：

H01L 21/22 511 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/324 D