パワー半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-075617
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326317
出願日： 1994年04月14日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】損失を最小にすると同時に、半導体基板(1)の厚さを大きく減らす手段を含んだ半導体装置を提供すること。【構成】 P+ 型エミッタ層を、透過エミッタ(6)とnドープストップ層(7)によって作る。従来は、基板を薄くすることは、高い阻止電圧の印加に適していないとされていた。しかし上記のエミッタ層を用いると、例えば受動保護回路のないクランプされた誘導性負荷がターンオフされた際、電界はストップ層に入り込み、透過エミッタを通して電荷を外に押し出す。その結果テール電流はなくなり、スイッチング損失をかなり減少させることが可能となる。本発明による手段は、IGBT,MCT,GTOのような半導体スイッチ及びダイオードにおいて用いることができる。

請求項（抜粋）：

a)第1及び第2の電導型の多数の層が第1の主領域(2)及び第2の主領域(3)の間に拡散されている半導体基板(1)と、b)第1の主領域(2)に配置されたカソード(4)と、第2の主領域(3)をおおっているメタライゼーション(10)によって形成されるアノード(5)と、を有する特に高い電圧に対するパワー半導体装置において、半導体基板(1)が、c)半導体基板(1)の厚さを大きく減少させ、且つd)最小の損失で作動する手段を有することを特徴とするパワー半導体装置

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平1-129463
特開平2-007569
特開平1-253279

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