半導体集積回路装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：林敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-048876
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235344
出願日： 1992年03月05日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】半導体集積回路装置に組み込まれる外部接続用周辺トランジスタのESD耐量を改善する。【構成】オープンドレイン出力端子に用いられるNチャネルMOSトランジスタ9等の周辺トランジスタは論理処理等を行なう内部トランジスタに比べて静電気ストレス電流ESを逃がし易いチャネル構造を備えている。例えば、周辺トランジスタ9のチャネル長Lは定格耐圧を満たす範囲で内部トランジスタの内最小のチャネル長より短かく設定されている。接地を取る為の基板コンタクトをドレイン領域Dから離れた位置に設けている。ソースコンタクトはドレインコンタクトに比べてゲート電極G側に接近している。周辺トランジスタ9はCONV構造である一方内部トランジスタはLDD構造を有する。このようにすると、等価的に見たNPNバイポーラトランジスタの動作が高速化及び効率化され静電気ストレス電流ESが逃げ易くなる。

請求項（抜粋）：

外部回路との接続部に設けられた絶縁ゲート電界効果型の周辺トランジスタと、内部回路を構成する絶縁ゲート電界効果型の内部トランジスタとを含む半導体集積回路装置において、該周辺トランジスタは該内部トランジスタに比べて静電気ストレス電流を逃がし易いチャネル構造を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。

引用特許：

審査官引用 (17件)

特開昭58-161374
特開平3-105967
特開昭50-137480

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