特許

J-GLOBAL ID：200903022147141903

半導体装置用治具及びその製造方法

発明者： 山崎 健 ,  小林 正典 ,  早見 由香
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-044517
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243169
出願日： 1992年03月02日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 半導体装置の製造プロセスの中の熱処理工程において使用される治具及びその製造方法に関し、汚染や熱変形がなく、しかも、取り扱いが容易な半導体装置用治具の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 炭化珪素粉末を成形・焼結して珪素を含浸し、窒素ガスまたはアンモニアガス中において熱処理するか、または、炭化珪素粉末を成形・焼結して珪素を含浸し、フッ酸と硝酸との混合液を使用して洗浄し、窒素ガスまたはアンモニアガス中において熱処理するように構成する。

請求項（抜粋）：

炭化珪素よりなり、該炭化珪素の表面が窒化珪素膜をもって被覆されてなることを特徴とする半導体装置用治具。

IPC (2件)：

H01L 21/22 ,  C04B 41/87

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-050855
  
• 特開平1-158756
  
• 特開昭59-119751