特許
J-GLOBAL ID：200903022150672782
超電導ウィグラ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-112768
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315100
出願日： 1992年05月01日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 漏洩磁束を減じて、超電導ウィグラの長さを短縮し、小型化する。【構成】 磁性板301及び302は、ビームダクト12内の平板121及び122の内面上に、補助電磁石181及び182に対向する位置にそれぞれ装着され、入口12a側に発生する漏洩磁束を減衰させる。磁性板311及び312は、ビームダクト12内の平板121及び122の内面上に、補助電磁石211及び212に対向する位置にそれぞれ装着され、出口12b側に発生する漏洩磁束を減衰させる。【効果】 前記磁性板は冷却容器11の外部の室温部で着脱できるので、種々の厚みの磁性板を装脱着することで漏洩磁束の低減が容易に行える。
請求項（抜粋）：
冷却剤を収納する容器と;互いに実質的に平行な第1及び第2の平板を有する角筒からなり、一端に電子ビームを受ける入口を有し、他端に出口を有し、前記入口及び前記出口を前記容器外に位置させて、前記角筒が前記容器を貫通するように、前記容器に取り付けられたビームダクトと;前記容器内の前記第1及び前記第2の平板の外面上に、互いに対向する位置にそれぞれ配置され、前記第1及び前記第2の平板間に、前記第1及び前記第2の平板に実質的に垂直な主磁束を発生する第1及び第2の主電磁石と;前記容器内の前記第1及び前記第2の平板の前記外面上に、前記第1及び前記第2の主電磁石よりも前記入口側に、互いに対向する位置にそれぞれ配置され、前記第1及び前記第2の平板間に、前記主磁束に平行で、前記主磁束と逆方向の入口側補助磁束を発生する第1及び第2の入口側補助電磁石と;前記容器内の前記第1及び前記第2の平板の前記外面上に、前記第1及び前記第2の主電磁石よりも前記出口側に、互いに対向する位置にそれぞれ配置され、前記第1及び前記第2の平板間に、前記主磁束に平行で、前記主磁束と逆方向の出口側補助磁束を発生する第1及び第2の出口側補助電磁石と;を有し、前記入口から前記ビームダクトに入った電子ビームを、前記第1及び前記第2の平板間の前記第1及び前記第2の平板に実質的に平行な面内で偏向させて、放射光とし、この放射光を前記出口から放射する超電導ウィグラ装置において、前記ビームダクト内の前記第1及び前記第2の平板の内面上に、前記第1及び前記第2の入口側補助電磁石に対向する位置に前記第1及び前記第2の入口側補助電磁石の磁気的吸引力でそれぞれ装着され、前記第1及び前記第2の入口側補助電磁石から前記入口側に発生する入口側漏洩磁束を減衰させるための第1及び第2の入口側磁性板と;前記ビームダクト内の前記第1及び前記第2の平板の内面上に、前記第1及び前記第2の出口側補助電磁石に対向する位置に前記第1及び前記第2の出口側補助電磁石の磁気的吸引力でそれぞれ装着され、前記第1及び前記第2の出口側補助電磁石から前記出口側に発生する出口側漏洩磁束を減衰させるための第1及び第2の出口側磁性板と;を有することを特徴とする超電導ウィグラ装置。
IPC (4件)：
H05H 13/04 ZAA
, G21K 1/093 ZAA
, H01F 7/22 ZAA
, H05H 7/04 ZAA
