特許

J-GLOBAL ID：200903022151413420

半導体装置の製法

発明者： 新谷 修一 ,  勝田 真也 ,  萱場 啓司
出願人/特許権者： 東レ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-303527
公開番号（公開出願番号）：特開2004-140186
出願日： 2002年10月17日
公開日（公表日）： 2004年05月13日
要約：

【課題】半導体装置を効率良く製造でき、かつ良好な高温リフロー信頼性と成形性を併せ持つ半導体装置が得られる方法を提供する。【解決手段】下記(A)〜(C)成分を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用い半導体素子を封止して半導体装置を製造する方法であって、封止時に後硬化工程を省略することを特徴とする半導体装置の製法。(A)ビフェニル型エポキシ樹脂(a1)を必須成分として含有するエポキシ樹脂(B)硬化剤(C)エポキシ樹脂組成物全体に占める割合が88重量%以上で、かつその50重量%以上が球状溶融シリカである無機充填剤。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記(A)〜(C)成分を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用い半導体素子を封止して半導体装置を製造する方法であって、封止時に後硬化工程を省略することを特徴とする半導体装置の製法。 (A)下記一般式(I)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂(a1)を必須成分として含有するエポキシ樹脂

IPC (4件)：

H01L21/56 ,  C08G59/24 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

FI (3件)：

H01L21/56 T ,  C08G59/24 ,  H01L23/30 R

Fターム (38件)：

4J036AC05 ,  4J036AD07 ,  4J036AD10 ,  4J036AF06 ,  4J036AF08 ,  4J036AF27 ,  4J036AJ08 ,  4J036AJ14 ,  4J036AK00 ,  4J036AK02 ,  4J036DA01 ,  4J036DB02 ,  4J036DB05 ,  4J036DB06 ,  4J036DB11 ,  4J036DB17 ,  4J036DB22 ,  4J036DC03 ,  4J036DC10 ,  4J036DD01 ,  4J036FA04 ,  4J036FA05 ,  4J036FA06 ,  4J036FB05 ,  4J036FB07 ,  4J036JA07 ,  4M109AA01 ,  4M109BA01 ,  4M109CA21 ,  4M109EA03 ,  4M109EB02 ,  4M109EB13 ,  4M109EB16 ,  4M109EC20 ,  5F061AA01 ,  5F061BA01 ,  5F061CA21 ,  5F061DE03