特許

J-GLOBAL ID：200903022160719191

半導体装置の製造方法

発明者： 中嶋 一明 ,  赤坂 泰志 ,  宮野 清孝
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-209094
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054510
出願日： 1997年08月04日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】600°C以上に加熱しても、電極の形状変化が起こらず信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】先ず、単結晶シリコンからなる基板11上に薄い酸化膜12(膜厚5nm)を形成する。次いで窒化タングステン膜13を全面に堆積し、さらにタングステン膜14(膜厚100nm)を全面に堆積する。次いで、タングステン膜の堆積後、反応容器から大気中に取り出すと、タングステン膜14と大気中の酸素とが反応し、タングステン膜14上にタングステン酸化物層15が形成される。次いで、例えば20%に希釈した硫化水素酸水溶液に浸すことにより、選択的に酸化物層15を除去する。そして、タングステン膜14上にCVD法によりシリコン窒化膜16を700〜800°Cの基板温度で堆積する。

請求項（抜粋）：

高融点金属膜を600°C以上に加熱処理する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記高融点金属膜表面に形成された酸化物層を除去した後、前記加熱処理を非酸化性雰囲気で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/88 M ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 29/78 301 G