光起電力装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池浦敏明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-356214
公開番号（公開出願番号）：特開平11-177112
出願日： 1997年12月09日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】光吸収層の結晶性が良好で且つ基板との密着性に優れ、光電変換効率の高い光起電力装置を提供する。また、光起電力装置が低コストで得られる製造方法を提供する。【解決手段】 I-III-VI2族化合物半導体からなる光吸収層を有する光起電力装置において、光吸収層に接して光の入射側と反対側に導電層を有し、少なくとも該導電層と光吸収層との界面に、該導電層を構成する元素との間で金属間化合物を形成する元素を有する光起電力装置。I族およびIII族元素を含む層を少なくともVI族元素を含む雰囲気中で加熱することによって光吸収層を形成する光起電力装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

I-III-VI2族化合物半導体からなる光吸収層を有する光起電力装置において、光吸収層に接して光の入射側と反対側に導電層を有し、少なくとも該導電層と光吸収層との界面に、該導電層を構成する元素との間で金属間化合物を形成する元素を有することを特徴とする光起電力装置。

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