プラズマCVD装置およびシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-050591
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252216
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：

【要約】【課題】大きな面積の被処理基板に膜厚および膜質が均一な薄膜、特に結晶質シリコン薄膜を成膜することが可能なプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】排気部材を有する反応容器と、前記反応容器内に配置され、被処理基板が保持される第1電極と、前記反応容器内に前記第1電極に対向して配置され、前記第1電極との対向面が前記基板の面積より小さく、かつその面に多数の反応ガスの吹き出し穴が開口された中空状の第2電極と、前記第2電極内に反応ガスを導入するためのガス導入手段と、前記反応容器内に前記第2電極の外周面に近接して位置するように配置され、前記第1、第2の電極間に生成されるプラズマを閉じ込めるためのシールド部材と、前記反応容器内に前記シールド部材の外周面に所望の隙間をあけて位置するように配置された排気ガイド部材と、前記シールド部材と前記ガイド部材とで形成される空間のガスを排気するための排気手段とを具備したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

排気部材を有する反応容器と、前記反応容器内に配置され、被処理基板が保持される第1電極と、前記反応容器内に前記第1電極に対向して配置され、前記第1電極との対向面が前記基板の面積より小さく、かつその面に多数の反応ガスの吹き出し穴が開口された中空状の第2電極と、前記第2電極内に反応ガスを導入するためのガス導入手段と、前記反応容器内に前記第2電極の外周面に近接して位置するように配置され、前記第1、第2の電極間に生成されるプラズマを閉じ込めるためのシールド部材と、前記反応容器内に前記シールド部材の外周面に所望の隙間をあけて位置するように配置された排気ガイド部材と、前記シールド部材と前記ガイド部材とで形成される空間のガスを排気するための排気手段とを具備し、前記第1、第2の電極および前記基板から選ばれるいずれか1つの部材は、プラズマ成膜中に移動されることを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , C23C 16/50 , H01L 31/04

FI (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/24 , C23C 16/50 B , H01L 31/04 X

Fターム (45件)：

4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA29 , 4K030BA30 , 4K030BB01 , 4K030BB03 , 4K030BB04 , 4K030BB05 , 4K030BB12 , 4K030CA02 , 4K030CA05 , 4K030CA06 , 4K030CA07 , 4K030EA06 , 4K030EA11 , 4K030FA03 , 4K030GA04 , 4K030HA04 , 4K030JA03 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030JA16 , 4K030KA12 , 4K030KA14 , 4K030KA17 , 4K030LA16 , 5F045AA08 , 5F045AB03 , 5F045AC01 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AE21 , 5F045AE23 , 5F045AE25 , 5F045BB01 , 5F045CA13 , 5F051AA03 , 5F051AA04 , 5F051AA05 , 5F051BA12 , 5F051CA15 , 5F051CA35 , 5F051CA36 , 5F051CA37

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