特許

J-GLOBAL ID：200903022170721593

半導体基板とその製造方法

発明者： 冨田 真一
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 押田 良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-092762
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274162
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 パーティクル発生の心配がなく、デバイスの初期から最終工程までゲッタリング能の減少又は消滅がなく、表面にCOPがなく、デバイス歩留りの向上が期待でき、また、低コストで製造できる平坦度の良い半導体基板とその製造方法の提供。【解決手段】 平面研削で表裏面にダイヤモンド砥粒径が異なる番手で表裏面に深さの異なる加工歪層を形成し、熱処理を施し、転位を形成させ、両面研磨機でデバイス形成面側の表面の浅い加工歪層及び転位層を除去し、裏面の深い加工歪層のみを除去して転位層を残すことより、表裏面が鏡面で裏面側に転位層を有する基板が得られる。かかる工程にはエッチング工程が不要で、さらに熱処理により表面の結晶欠陥を低減でき、高精度に平面研削した後に両面研磨を施しているため、極めて平坦度がすぐれた半導体基板が得られる。

請求項（抜粋）：

裏面に転位層を有し表裏面が鏡面である半導体基板。