特許
J-GLOBAL ID：200903022177655294
基板処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-106679
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321000
出願日： 1994年05月20日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】 コンパクトな構成で基板の静電気を良好に中和することができる基板処理装置を提供すること。【構成】 イオナイザ81は、リフトピン6に保持された基板10の表面にほぼ平行な方向にイオン化された気体を吐出する。偏向板82aは、イオナイザ81から吐出された気体の気流を基板10の表面側に偏向する。このため、イオナイザ81から偏向板82aまでの距離と偏向板82aから基板10表面までの距離を適宜調節することにより、イオナイザ81から吐出された気体の気流が偏向板82aで偏向されて基板10表面に到達するまでの距離を十分大きくしてプラスイオンとマイナスイオンとを均一に拡散させることができ、基板10表面の不均一な帯電状態の発生を防止して基板表面の良好な中和を達成することができる。すなわち、基板処理装置の縦寸法を小さくして基板処理装置全体の小型化を図ることができる。
請求項（抜粋）：
基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持された基板の表面にほぼ平行な方向にイオン化された気体を吐出する気体吐出手段と、前記気体吐出手段から吐出された気体の気流を基板の表面側に偏向する気流偏向手段と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, H01L 21/304 341
, H01L 21/68
