特許
J-GLOBAL ID：200903022180983758
半導体レーザ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-218933
公開番号（公開出願番号）：特開平5-055697
出願日： 1991年08月29日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：
【要約】【目的】 InGaAsP等の多元混晶を障壁層として用いた歪量子井戸構造においても、急峻なヘテロ界面を形成することができ、良好な素子特性が安定に得られる半導体レーザを提供すること。【構成】 InP基板10上に、V族元素を1種類のみ有するInGaAsからなり基板10と格子定数の異なる井戸層41と、V族元素を2種類有するInGaAsP混晶からなり基板10と格子整合した障壁層43とを、交互に積層してなる歪量子井戸活性層40を設けた歪量子井戸構造の半導体レーザにおいて、InGaAs井戸層41とInGaAsP障壁層43との間に、井戸層41のInGaAsよりも禁制帯幅の広いGaAsからなる中間層42が挟まれていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
III-V族化合物半導体基板上に、V族元素を少なくとも2種類含む混晶からなる障壁層と、V族元素が1種類の混晶からなる井戸層とを、交互に積層してなる量子井戸活性層を設けた量子井戸構造の半導体レーザにおいて、前記障壁層と前記井戸層との間に、前記井戸層の混晶とV族元素が同じで、前記井戸層に用いた混晶よりも禁制帯幅の広い混晶からなる中間層が挟まれていることを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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