特許

J-GLOBAL ID：200903022181658915

シリコンインゴットの切断方法

発明者： 上野 嘉之 ,  井上 忠
出願人/特許権者： 浜井産業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-108360
公開番号（公開出願番号）：特開2000-263545
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 2000年09月26日
要約：

【要約】【課題】 300mm以上の直径のシリコンインゴットから、高い平坦度のウエハを切出す。【解決手段】 シリコンインゴットからウエハを切出す切断にワイヤ放電加工機を用いる切断方法。

請求項（抜粋）：

半導体シリコンインゴットをウエハにスライスする方法において、切断装置としてワイヤ放電加工機を用いたことを特徴とする半導体シリコンインゴットの切断方法。

IPC (2件)：

B28D 5/04 ,  B23H 7/02

FI (2件)：

B28D 5/04 C ,  B23H 7/02 Z

Fターム (17件)：

3C059AA01 ,  3C059AB05 ,  3C059DA06 ,  3C059DE01 ,  3C059EA01 ,  3C059EB02 ,  3C059FD00 ,  3C059HA01 ,  3C069AA01 ,  3C069BA06 ,  3C069BB01 ,  3C069BB02 ,  3C069BB04 ,  3C069CA04 ,  3C069EA01 ,  3C069EA02 ,  3C069EA04