特許

J-GLOBAL ID：200903022198509514

半導体基板内不純物濃度分布の抽出方法、抽出装置および抽出プログラム記録媒体

発明者： 脇田 直樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-333910
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141387
出願日： 2000年10月31日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
要約：

【要約】【課題】MOS FET のチヤネル表面の横方向における不純物濃度分布を抽出する際、MOS FET の電気的特性から不純物濃度分布の抽出を高速かつ簡便に実行する。【解決手段】同一プロセス条件で製造されたゲート長の異なる複数のMOS FET に対する閾値を実測した実測データとMOS FET の閾値の解析モデルを用いて、MOSFET のチヤネル表面の基板内不純物濃度分布を算出する。

請求項（抜粋）：

不純物濃度分布を求める対象であるMOS FET と同一プロセス条件で製造されたゲート長の異なる複数のMOS FET に対する閾値を実測した実測データとMOS FET の閾値のショートチヤネル効果、逆ショートチヤネル効果がモデリングされている解析モデルを用いて、MOS FET のチヤネル表面付近の基板内不純物濃度の大まかな分布を算出することを特徴とする半導体基板内不純物濃度分布の抽出方法。

IPC (2件)：

H01L 21/66 ,  G01N 33/00

FI (4件)：

H01L 21/66 N ,  H01L 21/66 Y ,  H01L 21/66 Z ,  G01N 33/00 A

Fターム (8件)：

4M106AA07 ,  4M106AA10 ,  4M106AB04 ,  4M106BA14 ,  4M106CA12 ,  4M106CB02 ,  4M106DJ14 ,  4M106DJ21