特許

J-GLOBAL ID：200903022199990976

光電変換材料用半導体、光電変換素子および太陽電池

発明者： 大津 信也 ,  大福 幸司 ,  香川 宣明
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-180739
公開番号（公開出願番号）：特開2005-019124
出願日： 2003年06月25日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：

【課題】本発明の目的は、高い光電変換効率と優れた安定性とを示す光電変換材料用半導体、光電変換素子及び太陽電池を提供することである。【解決手段】下記一般式(1)又は一般式(2)で表される複素環化合物を含むことを特徴とする光電変換材料用半導体。【化1】【化2】【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)又は一般式(2)で表される複素環化合物を含むことを特徴とする光電変換材料用半導体。

IPC (2件)：

H01M14/00 ,  H01L31/04

FI (2件)：

H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z

Fターム (20件)：

5F051AA14 ,  5F051BA17 ,  5F051CB13 ,  5F051CB29 ,  5F051DA20 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA02 ,  5F051GA03 ,  5F051GA06 ,  5F051KA09 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE04 ,  5H032EE16 ,  5H032EE20 ,  5H032HH01