特許
J-GLOBAL ID：200903022203454987
多孔式ガス導入機構
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-198003
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029894
出願日： 1993年07月14日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：
【要約】【目的】 チャンバ内に回転対称の位置に3枚以上のLEP電極を設け位相の異なる高周波を印加してエッチングガスをプラズマにし、これによって半導体ウエハをエッチングするドライエッチング装置において、エッチングガスの利用効率を高め、エッチングガスの消費量を節減すること。【構成】 チャンバの上方からエッチングガスを導入する。チャンバの上方に多孔板を設けてここにエッチングガスのガス溜り部を作る。エッチングガスガス溜り部で一旦滞留して多孔板の穴から出てゆく。全てのエッチングガスがLEP電極の側方を通過してプラズマになる。無駄になるガスが少ないのでガスの利用効率が高まる。
請求項（抜粋）：
筒型のチャンバと、チャンバの上部を閉じる上蓋と、チャンバの下端を閉じるベ-ス板と、チャンバ内部の上方に互いに対向して回転対称の位置に設けられる3枚以上のLEP電極と、LEP電極に位相をずらせた高周波電圧を印加する高周波電源と、チャンバの下方に設けられエッチングすべき半導体ウエハを戴置すべき下部電極と、下部電極に高周波を印加する高周波電源とを含む回転電界を利用するドライエッチング装置であって、チャンバ内にエッチングガスを導入するため上蓋に設けられたガス入口と、チャンバからガスを排出するため、チャンバの底面またはその近傍に設けたガス出口と、チャンバ内において上蓋の直下に多孔板を設け、ガス入口から導入されたエッチングガスは多孔板と上蓋の間のガス溜り部に一旦滞留してから多孔板の穴を通ってLEP電極の横を通過し、ここでプラズマになるようにしたことを特徴とする多孔式ガス導入機構。
IPC (2件)：
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