特許

J-GLOBAL ID：200903022204018013

シリカヒドロゲルの洗浄方法

発明者： 高菅 和宏 ,  赤崎 忠行 ,  中村 修 ,  河野 昭義
出願人/特許権者： 日本シリカ工業株式会社
代理人 (1件)： 本多 小平 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-327362
公開番号（公開出願番号）：特開平7-187645
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月25日
要約：

【要約】【目的】 安定した物性の高品質のシリカを、しかも比較的少量の洗浄水で洗浄して製造できる洗浄方法を提供する。【構成】 ゲル法の酸性反応により得られたシリカヒドロゲルを洗浄するに当たり、シリカヒドロゲルと接している液のpHを1.0となるように調製する第1の工程、これに続いて、シリカヒドロゲルと接する液を中和してシリカヒドロゲルと接する該液のpHを4〜7に調製する第2の工程、更にこれに続いて、シリカヒドロゲルと接している液の電気伝導度を1000μS/cm以下とする第3の工程、をそれぞれバッチで行う。

請求項（抜粋）：

H2 SO4 過剰下でケイ酸ソーダと硫酸を反応させるゲル法シリカの製造法により得た硫酸及び硫酸ナトリウムを含むシリカヒドロゲルを洗浄して、硫酸及び硫酸ナトリウムを実質的に含まないシリカヒドロゲルを製造するに当たり、(A)シリカヒドロゲルと接している液のpHを1.0〜3.5となるように調製する第1の工程、(B)上記(A)の工程に続いて、アルカリ水溶液で中和して、シリカヒドロゲルと接する液のpHを4〜7に調製する第2の工程、(C)更に上記(B)の工程に続いて、シリカヒドロゲルと接している液の電気伝導度を1000μS/cm以下とする第3の工程、とからなり、上記第1ないし第3の工程の各工程をバッチで行うことを特徴とするシリカヒドロゲルの洗浄方法。

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開昭62-275014
  
• 特開昭59-054632
  

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-275014
  
• 特開昭59-054632