特許

J-GLOBAL ID：200903022206060580

半導体光導波路構造、光デバイス、及び、それらの製造方法

発明者： 岩井 則広 ,  西片 一昭 ,  粕川 秋彦
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-289568
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135564
出願日： 1996年10月31日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 簡素な工程で作製でき、光導波路の幅制御が容易な光導波路構造及びこれを利用した半導体光デバイスを提供する。【解決手段】 GaAs基板11上に、Al組成が、膜厚方向の中央部で最も少く、膜の外側に向かって徐々に増加し、膜の表面及び裏面部分で最も多くなる組成を有するAl(Ga)Asコア層13を形成し、このコア層13を、水蒸気中で部分的に酸化することにより、光を透過しない周辺部の酸化領域16と、光を透過する光導波路を成す中央部の非酸化領域17とに形成する。Al組成を、膜の中央部で0.97、膜の外側部分で1とすることにより、酸化速度の比率として1:10が得られる。光導波路の構造を、その光軸方向にテーパーを成すテーパー状リッジとすることにより、テーパー先端部で略円形の光導波路16が得られ、光ファイバとの光結合効率が向上する。共通の基板11上に半導体光素子を成長等により形成することにより、キャリア漏れが少く、光ファイバとの結合効率が高い半導体光デバイスが得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、少なくともAlを含む材料からなり、Al組成が、膜厚方向の中央部分で少く、該中央部分から膜表面及び裏面に向かって徐々に増加する組成を有する半導体層を形成し、該半導体層を部分的に酸化させて酸化領域及び非酸化領域を形成し、該非酸化領域を光導波路とすることを特徴とする、光導波路構造の製造方法。