可変抵抗素子およびそれを用いた半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-048821
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237380
出願日： 2000年02月25日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】アンチフューズを用いたFPGAでは、回路の書き込みはその動作特性上1回のみで、何度も書き換えることは出来ない。また、SRAMを用いたFPGAでは回路の書き換えは何度も出来るが、消費電力が大きくなり、電源OFF時には記憶の保持が出来ないため、情報をRAM待避させる必要がある。またフラッシュメモリは書き込み速度が約ミリ秒と遅く、書き込み電圧が8〜12Vと高い、あるいは書き込み/消去の繰り返しが数十万回程度と少ない。【解決手段】端部に電極を有する抵抗体で構成される可変抵抗素子において、前記抵抗体が下記物質群から選ばれたいずれかの金属を主成分とする酸化物であることを特徴とする可変抵抗素子を構成する。

請求項（抜粋）：

端部に電極を有する抵抗体で構成される可変抵抗素子において、前記抵抗体が銀を主成分とする酸化物であることを特徴とする可変抵抗素子。

IPC (4件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/82 , H01L 27/10 451

FI (3件)：

H01L 27/10 451 , H01L 27/04 V , H01L 21/82 A

Fターム (13件)：

5F038AV17 , 5F038CA02 , 5F038DF05 , 5F038EZ14 , 5F038EZ20 , 5F064AA08 , 5F064BB02 , 5F064BB12 , 5F064CC22 , 5F064GG10 , 5F083FZ10 , 5F083JA21 , 5F083JA38

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