特許
J-GLOBAL ID：200903022222913380
ドライエッチング装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-330295
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193046
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】マグネトロン型ドライエッチング装置のプラズマ中の電子分布を均一化し、プラズマの密度分布を均一にする。【構成】被エッチング基板11に平行に磁界14を印加し、その磁界と垂直でかつ、被エッチング基板11に平行な電界を印加してエッチングする。電子は基板面内方向でどちらかに片寄るのではなく、基板に垂直方向に片寄る。そのため基板面内での電子分布の片寄りはなく均一な電子分布となりプラズマの密度も均一となる。従ってイオンの斜め入射や、素子損傷を緩和できる。
請求項（抜粋）：
被エッチング材料を置いた基板に平行に磁界を印加し、しかも、その磁界と垂直でかつ基板に平行な高周波電界を印加することを特徴とするマグネトロン型ドライエッチング装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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