特許

J-GLOBAL ID：200903022227195460

自己整合シリサイド膜の形成方法

発明者： 黄 ▲ち▼ 東 ,  薛 正 誠
出願人/特許権者： 旺宏電子股▲ふん▼有限公司
代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-271762
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093739
出願日： 2000年09月07日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 自己整合シリサイド膜(サリサイド膜)を形成する際に、自然酸化膜を除去するための物理的ボンバードプラズマ処理で基板が損傷を受け、歩留り率が低下するのを防止する。【解決手段】 反応性プラズマ104、たとえば、還元ガスを有するプラズマを用いた処理で事前クリーニングを実行して、基板100上の不純物および自然酸化膜103を除去する。化学反応によって自然酸化膜を除去するので損傷を回避できる。事前クリーニング工程には、反応性プラズマ処理が行われる前のウェットエッチング洗浄工程も含まれる。

請求項（抜粋）：

サリサイド工程を実行する前に、基板上で実行される事前クリーニング工程であって、前記基板上で還元反応を発生させるために、反応性プラズマを用いた反応性プラズマ処理工程を実行するステップを含むことを特徴とする事前クリーニング工程。

IPC (6件)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 645 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 21/28 A ,  H01L 21/28 301 D ,  H01L 21/28 301 S ,  H01L 21/304 645 C ,  H01L 21/302 N ,  H01L 29/78 301 P

Fターム (31件)：

4M104AA01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB23 ,  4M104BB25 ,  4M104BB28 ,  4M104DD02 ,  4M104DD04 ,  4M104DD23 ,  4M104DD64 ,  4M104DD79 ,  4M104DD84 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F004AA14 ,  5F004DA24 ,  5F004DB00 ,  5F004EB02 ,  5F040DA10 ,  5F040DC01 ,  5F040EC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EC13 ,  5F040EF02 ,  5F040EH02 ,  5F040FA03 ,  5F040FB01 ,  5F040FC00 ,  5F040FC19