特許

J-GLOBAL ID：200903022234924329

半導体レーザ装置

発明者： 杉浦 秀幸 ,  内藤 浩樹 ,  太田 一成
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-035980
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235468
出願日： 1992年02月24日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：

【要約】【目的】 光ディスクなどの光源として用いる低電流動作、低雑音の半導体レーザ装置を提供する。【構成】 Ga1-XAlXAs活性層4の少なくとも一方の面に形成されリッジ5aを有する一導電型のGa1-YAlYAs層5と、リッジ5aの長手方向の側面に沿って形成された逆導電型のGa1-ZAlZAs層6とを備え、AlAs混晶比を決めるX、YおよびZの間にZ>Y>X≧0なる関係を有し、かつこれら各層の内n型であるGaAlAs層に不純物としてSiを添加した。

請求項（抜粋）：

Ga1-XAlXAs活性層の少なくとも一方の面に形成されたリッジを有する一導電型のGa1-YAlYAs層と、前記リッジの長手方向の側面に沿って形成された逆導電型のGa1-ZAlZAs層とを備え、AlAs混晶比を決めるX、YおよびZの間にZ>Y>X≧0なる関係を有し、かつ前記各層の内n型であるGaAlAs層に不純物としてSiを添加したことを特徴とする半導体レ-ザ装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-208292
  
• 特開平2-113586
  
• 特開平3-238886
  
• 特開平1-151284