特許
J-GLOBAL ID：200903022237911821
回路基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-134558
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061594
出願日： 1992年05月27日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】一層目配線層の信号配線と二層目配線層の信号配線の間で特性インピーダンス、配線抵抗を等しくし、かつ、二層目のクロストークを増やさないこと。【構成】シリコン基板1の上のグランド層2上に形成された層間絶縁膜3上面の一層目配線層3aの信号配線4の線幅W1に対して、一層目配線層に重なる層間絶縁膜5上面の二層目配線層5aの信号配線6の線幅W2を広くして特性インピーダンスを等しくすると共に、線幅を広くした分膜厚t2を一層目配線4の膜厚t1より薄くして、配線抵抗および同じ配線層の隣り合う配線同士のクロストークも同じにし、加えて、配線間隔+線幅の配線ピッチを等しくする。
請求項（抜粋）：
絶縁基板と、この絶縁基板上に形成されたグランド層と、このグランド層との間にそれぞれ異なる厚さの層間絶縁膜をはさんで形成された一層目および二層目の少なくとも2層の配線層を有する回路基板において、前記一層目配線層に形成されている信号配線の幅をW1、厚さをt1、隣り合う信号配線間隔をS1、前記一層目配線層と前記グランド層との間の第1層間絶縁膜の厚さをH1とし、前記二層目配線層に形成されている信号配線の幅をW2、厚さをt2、隣り合う信号配線間隔をS2、前記二層目配線層と前記グランド層との間の層間絶縁膜の厚さをH2としたとき、多くとも10%の誤差の範囲でつぎの(1)〜(4)式の関係を満たしていることを特徴とする回路基板。W2=S1...(1)S2=W1...(2)t2=(W1/S1)×t1...(3)H2=(S1/W1)×H1...(4)
IPC (2件)：
前のページに戻る
