特許
J-GLOBAL ID：200903022237916335
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
花輪 義男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-260925
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085563
出願日： 1999年09月14日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の柱状電極間に形成する封止膜の厚さを早期に調整することができるようにする。【解決手段】 印刷マスク14及びスキージ15を用いて封止膜16を形成する。この場合、スキージ15の先端部は側面ほぼV字状となっており、この先端部を柱状電極12間に押し込んで印刷する。すると、封止膜16は、柱状電極12間で陥没するように形成される。この場合、封止膜16の厚さはシリコン基板11上に印刷された液状封止樹脂の重量に正比例する。また、シリコン基板11上に印刷される液状封止樹脂の印刷量(重量)は、スキージ15の押し込み量(柱状電極12の上面を基準として、スキージ15の先端部を柱状電極12間に押し込んだ量)に反比例する。したがって、スキージ15の押し込み量を調整すると、シリコン基板11上に印刷される液状封止樹脂の重量を制御することができ、ひいては封止膜16の厚さを制御することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された複数の柱状電極間の前記半導体基板上に、液状封止樹脂をスクリーン印刷して所定の膜厚の封止膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記半導体基板上に形成された前記液状封止樹脂の重量に基づいて前記半導体基板上に印刷される前記封止膜の膜厚を調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 23/12 L
, H01L 21/92 604 S
