特許
J-GLOBAL ID：200903022240386762

半導体チップの製造方法

発明者：
近藤 広一

近藤 広一 について

, 
吉田 正徳

吉田 正徳 について

, 
森数 洋司

森数 洋司 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (2件)： 小野 尚純 ,  奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-057619
公開番号（公開出願番号）：特開2006-245209
出願日： 2005年03月02日
公開日（公表日）： 2006年09月14日
要約：
【課題】先ダイシングによって分割された個々の半導体チップにダメージを与えることなく、その裏面にダイボンディング用の接着フィルムを容易に装着することができる半導体チップの製造方法。【解決手段】半導体ウエーハ2を個々の半導体チップに分割し、半導体チップの裏面に接着フィルムを6装着する半導体チップの製造方法であって、半導体ウエーハ2の表面からストリートに沿って所定の深さの分割溝23を形成する分割溝形成工程と、裏面を研削して裏面に分割溝23を表出させ個々の半導体チップに分離する分割溝表出工程と、半導体ウエーハ2の裏面に接着フィルム6を貼着する接着フィルム貼着工程と、接着フィルム6に裏面側から分割溝23に沿ってレーザー光線を照射722し接着フィルム6に分割溝23に沿って変質領域を形成するレーザー加工工程と、接着フィルムに張力を付与し接着フィルムを変質領域に沿って破断する接着フィルム破断工程とを含む。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割し、該個々の半導体チップの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する半導体チップの製造方法であって、 半導体ウエーハの表面から該ストリートに沿って所定の深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、 該分割溝が形成された半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、 半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に該分割溝を表出させ個々の半導体チップに分離する分割溝表出工程と、 個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハの裏面に該接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着工程と、 個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハの裏面に貼着された該接着フィルムに半導体ウエーハの裏面側から該分割溝に沿ってレーザー光線を照射し、該接着フィルムに該分割溝に沿って変質領域を形成するレーザー加工工程と、 該接着フィルムに張力を付与し該接着フィルムを該変質領域に沿って破断する接着フィルム破断工程と、を含み、 該レーザー加工工程において接着フィルムに変質領域を形成するレーザー光線のエネルギーは、該接着フィルムを熔融して変質させるが該接着フィルムを溶断しない値に設定されている、 ことを特徴とする半導体チップの製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/301 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/18 ,  B23K 26/40 ,  H01L 21/52
FI (6件)：
H01L21/78 Q ,  B23K26/00 D ,  B23K26/18 ,  B23K26/40 ,  H01L21/52 C ,  H01L21/78 B
Fターム (12件)：
4E068AA01 ,  4E068AD00 ,  4E068AE01 ,  4E068CA02 ,  4E068CA03 ,  4E068CA09 ,  4E068CF03 ,  4E068DA10 ,  4E068DB10 ,  5F047BB03 ,  5F047BB13 ,  5F047BB19
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (5件)
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