半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-159151
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046198
出願日： 1983年02月07日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】ソース及びドレインが交互に櫛形に配置されたMOSFETにおいて、櫛形部分のソース及びドレインに拡散部分とアルミ配線部とのコンタクトを設け、かつ、ソース電極部分に基板とのコンタクトを設けることにより、駆動能力及び耐圧の低下を防ぐ。【構成】櫛形部分のソース及びドレインにそれぞれ拡散部分とソースアルミ配線部分6及びドレインアルミ配線5とのCFコンタクト(ソース及びドレインのアルミ配線部と拡散部分とのコンタクト)3を設ける。また、ソース電極部分に,ソースアルミ配線6と基板とのCVコンタクト(基板とソースのアルミ配線部とのコンタクト)4を設ける。従つてCFコンタクト3により、ソース及びドレイン電流の拡散部分を流れる距離が短くなり,ソース抵抗及びドレイン抵抗が小さくなる。また、CVコンタクト4により、バツクゲートバイアスが低減される。

請求項（抜粋）：

第lの方向に沿って細長い形状を有し、かつ略平行に配置された複数のゲー卜電極と、前記第lの方向に沿って細長い形状を有し、かつ前記複数のゲー卜電極間に配置されたソース拡散領域及びドレイン拡散領域と、前記ソース拡散領域に電位を印加する配線と前記ソース拡散領域とを電気的に接続するために、前記第lの方向に沿って前記ソース拡散領域内に複数個設けられた第lのコン夕ク卜とを備えた半導体装置において、前記ソース拡散領域の形成された基板に電位を印加する配線と前記基板とを電気的に接続するために、前記第lの方向に沿って前記ソース拡散領城内に複数個設けられた第2のコン夕ク卜を有し、隣合う前記第lのコンタクトの間に前記第lのコンタクトと離間して前記第2のコン夕ク卜を配置し、前記ドレイン拡散領域に電位を印加する配線と前記ドレイン拡散領域とを電気的に接続するために、前記第lの方向に沿って前記ドレイン拡散領域内に複数個設けられた第3のコンタクトとを有してなることを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 301 X

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭50-045574
特開昭56-150865

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