特許

J-GLOBAL ID：200903022248685122

半導体装置及びその製造方法

発明者： 岩松 俊明 ,  一法師 隆志 ,  西村 正 ,  井上 靖朗
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-335121
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166919
出願日： 1991年12月18日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 素子表面の平坦化、活性層のエッジへの電界集中の防止及び寄生トランジスタの発生防止を簡単な製造工程によって達成することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 絶縁基板20上の半導体層21と酸化膜22と窒化膜23との層を表面が均一な幅にエッチングして複数の島を形成した後、図2(a)に示すように窒化膜23上にボロン不純物を含んだポリシリコン層25を形成し、次に図2(b)に示すようにエッチング部分Sの側壁にのみポリシリコン層25を残す。次に図2(c)に示すようにエッチング部分Sの側面に酸化膜22と連続膜をなす酸化膜22Aを形成し、ポリシリコン層25内のボロン不純物を半導体層21の側壁に拡散させてボロン不純物拡散層26を形成した後、図2(d)に示すようにエッチング部分Sに酸化膜27を埋め込む。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に形成された半導体層、この半導体層の同一平面に、所定のパターンで均一な幅に形成された複数の絶縁膜、これら複数の絶縁膜によってそれぞれ囲まれ、前記半導体層からなる島、及び、各島の少なくとも側部に形成された不純物領域、を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/76 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-126650
  
• 特開昭57-128943
  
• 特開昭57-196579