半導体装置の製造方法およびその製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：井桁貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-334014
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201813
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体装置の製造プロセスにおける、酸素プラズマを用いたダウンフロー式レジストアッシングの方法及び装置に関し、アッシングレートが経時的に変化せず、且つ従来より高いアッシングレートを得ることができる方法および装置を実現することを目的とする。【構成】酸素プラズマを使用するダウンフロー式レジストアッシングを行う際に、プラズマ発生室5内ではなく、ダウンフロー室11内であって電子温度が4eV以上である領域に、CF4 等のフッ素系ガスを導入し、更に、マイクロ波透過窓4に石英製のものを使用する構成とする。

請求項（抜粋）：

酸素プラズマを使用するダウンフロー式レジストアッシングを行う際に、ダウンフロー室(11)内であって、フッ素系ガスを解離するに十分なエネルギーを有する荷電粒子が存在する領域に、フッ素系ガスを導入することを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/027 , H01L 21/304 341 , H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/302 H , H01L 21/30 572 A , H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-160162
特開平2-091937
特開昭63-120424

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