特許

J-GLOBAL ID：200903022252471790

半田付け装置

発明者： 丹 英 ,  本宮 育次郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-009948
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208920
出願日： 1999年01月18日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 半田の酸化を防止することで、確実に半田付けを行うことができる。【解決手段】 溶融半田10が貯められる半田槽5と、半田槽5の上側であってワーク2を搬送する搬送機構の上側に位置する上側カバー26と搬送機構の下側であって半田槽5の上側に位置する下側カバー27とにより構成され、低酸素雰囲気が形成されるチャンバ6と、チャンバ6内の上側に配設され、チャンバ6内に不活性ガスを噴出する噴出部42と、チャンバ6内の搬送機構と噴出部42との間に配設され、噴出部42より噴射された不活性ガスをチャンバ6の上側に高濃度に保持し、チャンバ6の上側に高濃度に保持された不活性ガスをチャンバ6の下側に供給する開口部47が形成された整流板43とを備える。

請求項（抜粋）：

溶融された半田が貯められる半田槽と、上記半田槽の上側であってワークを搬送する搬送手段の上側に位置する上側カバーと上記搬送手段の下側であって上記半田槽の上側に位置する下側カバーとにより構成され、低酸素雰囲気が形成されるチャンバと、上記チャンバ内の上側に配設され、上記チャンバ内に不活性ガスを噴出する噴出部と、上記チャンバ内の上記搬送手段と上記噴出部との間に配設され、上記噴出部より噴射された不活性ガスを上記チャンバの上側に高濃度に保持し、上記チャンバの上側に高濃度に保持された不活性ガスを上記チャンバの下側に供給する開口部が形成された整流板とを備える半田付け装置。

IPC (6件)：

H05K 3/34 506 ,  B23K 1/00 330 ,  B23K 1/08 ,  B23K 1/08 320 ,  B23K 3/06 ,  B23K 31/02 310

FI (6件)：

H05K 3/34 506 F ,  B23K 1/00 330 E ,  B23K 1/08 C ,  B23K 1/08 320 Z ,  B23K 3/06 D ,  B23K 31/02 310 B

Fターム (13件)：

4E080AA01 ,  4E080AB01 ,  4E080BA06 ,  4E080BA07 ,  4E080BA13 ,  4E080DA04 ,  4E080EA07 ,  5E319AA02 ,  5E319AB01 ,  5E319CC23 ,  5E319CD35 ,  5E319GG03 ,  5E319GG15