特許
J-GLOBAL ID：200903022254844615
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-182623
公開番号（公開出願番号）：特開平7-037974
出願日： 1993年07月23日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、バーズビークを生じないようにしてバーズビークに伴なう素子領域の縮小を抑えることができるとともに、素子領域端での欠陥を生じ難くすることができ、しかも、エッチバック等による平坦化プロセスをなくして平坦化プロセスに伴なう工程数の増加を抑えることができることを目的とする。【構成】 耐酸化性絶縁膜2をマスクとし、開口部3内のシリコン基板1をエッチングして溝4を形成し、次いで、該耐酸化性絶縁膜2をマスクとし、該溝4内の該シリコン基板1を酸化して第1のシリコン酸化膜5を形成し、次いで、該耐酸化性絶縁膜2をマスクとし、LPD(Liquid Phase oxide Deposition )法による選択成長法により該溝4内の該第1のシリコン酸化膜5上に第2のシリコン酸化膜6を選択的に形成した後、該耐酸化性絶縁膜2を除去するように構成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板(1)上に耐酸化性絶縁膜(2)を形成する工程と、次いで、該耐酸化性絶縁膜(2)をエッチングして該シリコン基板(1)が露出された開口部(3)を形成する工程と、次いで、該耐酸化性絶縁膜(2)をマスクとし、該開口部(3)内の該シリコン基板(1)をエッチングして溝(4)を形成する工程と、次いで、該耐酸化性絶縁膜(2)をマスクとし、該溝(5)内の該シリコン基板を酸化して第1のシリコン酸化膜(5)を形成する工程と、次いで、該耐酸化性絶縁膜(2)をマスクとし、LPD(Liquid Phase oxideDeposition )法による選択成長法により該溝(4)内の該第1のシリコン酸化膜(5)上に該第2のシリコン酸化膜(6)を選択的に形成する工程と、次いで、該耐酸化性絶縁膜(2)を除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
引用特許：
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