特許
J-GLOBAL ID：200903022260275150
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平2-400106
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315280
出願日： 1990年12月03日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】導電層表面にCVD(化学気相成長)法によってさらに金属膜を被着形成しても、導電層が剥離しないような製造方法を提供することを目的とする。【構成】基板上に絶縁層を形成し、その後該絶縁層上に導電層を形成し、該導電層の表面の一部にレジストをマスクとして、該導電層表面から該絶縁層が露出するまで異方性エッチングする工程と、該絶縁層の表面に、該導電層の端部を覆うように、塗布ガラス膜を塗布する工程と、前記レジストを除去した後、前記塗布ガラス膜を固める工程と、前記導電層の下面が露出しないように、該導電層表面をエッチング液にさらす工程と、該塗布ガラス膜の表面及び前記絶縁層の表面での厚さと比較して十分厚くなるように前記導電層表面に、高融点金属或いは高融点金属含有導電物からなる膜をCVD(化学気相成長)法を用いて被着形成する工程を構成とする。
請求項（抜粋）：
基板(3) 上に絶縁層(1) を形成し、その後該絶縁層(1) 上に導電層(4) を形成し、該導電層(4) の表面の一部にレジスト(7) をマスクとして、該導電層(4) 表面から該絶縁層(1) が露出するまで異方性エッチングする工程と、該絶縁層(1) の表面に、該導電層(4) の端部を覆うように、塗布ガラス膜(8)を塗布する工程と、前記レジスト(7) を除去した後、前記塗布ガラス膜(8) を固める工程と、前記導電層(4) の下面が露出しないように、該導電層(4) 表面をエッチング液にさらす工程と、該塗布ガラス膜(8) の表面及び前記絶縁層(1) の表面での厚さと比較して十分厚くなるように前記導電層(4) 表面に、高融点金属或いは高融点金属含有導電物からなる膜(10)をCVD(化学気相成長)法を用いて被着形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
