特許

J-GLOBAL ID：200903022261410256

フリップチップ型半導体装置用封止材及びフリップチップ型半導体装置

発明者： 隅田 和昌 ,  熊谷 公孝 ,  若尾 幸 ,  塩原 利夫
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-023748
公開番号（公開出願番号）：特開2000-297201
出願日： 2000年02月01日
公開日（公表日）： 2000年10月24日
要約：

【要約】 (修正有)【解決手段】 (A)液状エポキシ樹脂、(B)無機質充填剤、(C)エポキシ樹脂に対する溶解度が1重量%以下で、融点が170°C以上であり、平均粒径が1〜5μm、最大粒径が20μm以下である、下記一般式(1)(式中、R1及びR2は水素原子、メチル基、エチル基、ヒドロキシメチル基又はフェニル基を示し、R3はメチル基、エチル基、フェニル基又はアリル基を示し、R4は水素原子又は下記式(2)で示される基である。)で表わされる硬化促進剤を主成分とする液状エポキシ樹脂組成物からなることを特徴とするフリップチップ型半導体装置用封止材。【効果】 本発明のフリップチップ型半導体装置用封止材は、薄膜侵入特性、保存安定性に優れており、この封止材を用いて封止されたフリップチップ型半導体装置は、非常に信頼性の高いものである。

請求項（抜粋）：

(A)液状エポキシ樹脂、(B)無機質充填剤、(C)エポキシ樹脂に対する溶解度が1重量%以下で、融点が170°C以上であり、平均粒径が1〜5μm、最大粒径が20μm以下である、下記一般式(1)【化1】(式中、R1及びR2は水素原子、メチル基、エチル基、ヒドロキシメチル基又はフェニル基を示し、R3はメチル基、エチル基、フェニル基又はアリル基を示し、R4は水素原子又は下記式(2)【化2】で示される基である。)で表わされる硬化促進剤を主成分とする液状エポキシ樹脂組成物からなることを特徴とするフリップチップ型半導体装置用封止材。

IPC (5件)：

C08L 63/00 ,  C08G 59/50 ,  C08K 3/00 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (4件)：

C08L 63/00 C ,  C08G 59/50 ,  C08K 3/00 ,  H01L 23/30 R