特許

J-GLOBAL ID：200903022261494301

配線の形成方法

発明者： 佐藤 淳一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-294311
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136280
出願日： 1991年11月11日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】 アルミニウム配線における粒界拡散を防止し、ストレスマイグレーション(SM)耐性,エレクトロマイグレーションEM耐性も改善する。【構成】 基板上のSiO2膜1上に高温スパッタ法により、大粒径のアルミニウム結晶で構成されるアルミニウム膜2を形成し、これをパターニングして配線パターンを形成する。次に、アルミニウム配線の粒界をリン酸と硝酸を用い、温度40°C、時間10〜20秒間の条件でウェットエッチングし、アルミ粒界を間隔を有する粒界部2Bとする。次に、この粒界部2B及びAl配線の外周2Cにタングステン4をブランケットCVD法により形成する。このようにして、アルミニウムの粒界及び配線外周面にタングステン4が成長し、アルミニウムの粒界拡散を抑えることができる。また、アルミニウム膜2の結晶粒径が大きいため、SM,EMに対して有利となる。

請求項（抜粋）：

アルミニウム配線パターンを形成した後、アルミニウムの粒界を選択的にエッチングし、少なくとも該粒界部に異種金属を形成することを特徴とする配線の形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/88 R

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-320342
  
• 特開平4-067635
  
• 特開平4-320342
  
• 特開平4-067635