特許

J-GLOBAL ID：200903022263033506

弾性表面波素子の電極形成方法

発明者： 櫻井 敦
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 西澤 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-339293
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162255
出願日： 1993年12月02日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】 構造欠陥が極めて少なく、高い印加電力レベルで使用した場合にも優れた耐ストレスマイグレーション特性を有する電極を形成する。【構成】 蒸着、スパッタ、IBS(Ion Beam Sputtering)、CVD(Chemical Vapor Deposition)、プラズマCVD、MBE(Molecular Beam Epitaxy)、ICB(Ionized Cluster Beam)、レーザーアブレーションなどの成膜方法を用いた成膜プロセスにおいて、所定のイオンエネルギーでイオンアシストを行いつつ、結晶方位的に一定方向に配向するように、電極材料を圧電基板上に成膜させる。

請求項（抜粋）：

弾性表面波素子を構成する圧電基板上に電極を形成する方法であって、薄膜成膜方法を用いた成膜プロセスにおいて、所定のイオンエネルギーでイオンアシストを行いつつ、結晶方位的に一定方向に配向するように、電極材料を圧電基板上に成膜させることを特徴とする弾性表面波素子の電極形成方法。