特許
J-GLOBAL ID:200903022264191741
多層配線基板の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-081733
公開番号(公開出願番号):特開2000-200975
出願日: 1999年03月25日
公開日(公表日): 2000年07月18日
要約:
【要約】 (修正有)【課題】 小径のブラインドビア孔の形成が可能で、高密度の配線が可能となる多層配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】 所要の配線パターン30を形成した基材32上に、樹脂層34付き金属箔36を積層し、熱圧着して金属箔を樹脂層により基材上に固着する工程と、配線パターンと接続すべき部位に対応する金属箔部分を所要の範囲で除去して開口部38を形成する開口部形成工程と、金属箔が開口されて露出した樹脂層部分に、開口部の径よりも小径のブラインドビア孔40を形成して配線パターンの部位を露出させるレーザー加工工程と、露出した配線パターン上、ブラインドビア孔側壁、露出した樹脂層の段差部42上および少なくとも開口部周縁の金属箔上に被膜を形成する無電解めっき工程と、この被膜上に被膜44を形成する電解めっき工程と、金属箔に配線パターンを形成するエッチング工程とを含む。
請求項(抜粋):
所要の配線パターンを形成した電気的絶縁性を有する基材上に、片面に金属層が形成された樹脂基板の他面側を積層する積層工程と、前記配線パターンと接続すべき部位の前記金属層部分を所要の範囲で除去して開口部を形成する開口部形成工程と、該金属層の開口部に露出した前記樹脂基板の樹脂層部分にレーザー光を照射して、前記開口部の径よりも小径のブラインドビア孔を形成し、該ブラインドビア孔の底面に前記配線パターンの部位を露出させるレーザー加工工程と、該露出した配線パターンの部位、前記ブラインドビア孔の側壁、露出した前記樹脂層の段差部および少なくとも前記開口部周縁の金属層上に無電解めっき被膜を形成する無電解めっき工程と、該無電解めっき被膜上に電解めっき被膜を形成する電解めっき工程と、該電解めっき工程の後、前記金属層をエッチングして所要の配線パターンを形成するエッチング工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (2件):
FI (4件):
H05K 3/46 N
, H05K 3/46 G
, H05K 3/46 X
, H05K 3/00 N
Fターム (27件):
5E346AA05
, 5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA22
, 5E346AA43
, 5E346BB01
, 5E346CC31
, 5E346DD01
, 5E346DD12
, 5E346DD25
, 5E346DD32
, 5E346DD33
, 5E346DD47
, 5E346EE02
, 5E346EE06
, 5E346EE09
, 5E346EE13
, 5E346EE31
, 5E346FF04
, 5E346FF15
, 5E346GG15
, 5E346GG17
, 5E346GG22
, 5E346GG23
, 5E346GG28
, 5E346HH07
, 5E346HH25
引用特許: