特許
J-GLOBAL ID：200903022270980057
半導体容量式圧力変換器
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 幸彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-235926
公開番号（公開出願番号）：特開平5-072070
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月23日
要約：
【要約】【目的】半導体式圧力センサの出力特性の直線性及び検出精度の向上を計る。【構成】ダイヤフラム部に検出用の薄肉部を設けた。【効果】ダイヤフラムの周縁部の剛性はばらつきによる出力特性の歪みや、精度の低下が防止できる。
請求項（抜粋）：
シリコン基板をエッチングして、ダイヤフラム状に形成し、その中央部に容量検出用の凹みを設けた半導体基板とその上面に相対する電極を設けたガラス基板により圧力に比例した出力が検出されるものにおいて、シリコン基板のダイヤフラム径と容量検出用凹み径との比が0.7 以下であることにより非直線誤差(NL:Non Lineality)を向上させることを特徴とした半導体容量式圧力変換器。
IPC (2件)：
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