特許

J-GLOBAL ID：200903022279798332

熱電素子、熱電変換モジュールコア、熱電変換モジュールおよびその製造方法

発明者： 三 好 実 人 ,  今 西 雄一郎 ,  櫛 引 圭 子 ,  小 林 正 和 ,  篠 原 和 彦 ,  古 谷 健 司
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社 ,  日産自動車株式会社
代理人 (1件)： 小塩 豊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-260295
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091649
出願日： 1998年09月14日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 CoSb3を主成分とする熱電半導体からなるp型およびn型の熱電半導体を用いた熱電素子、熱電変換モジュールコアおよび熱電変換モジュールを提供し、これによって、耐熱性に優れ、接合部での発電損失が少なく、車載用やその他の排熱利用発電装置などの熱電発電装置に適した熱電変換モジュールを提供する。【解決手段】 CoSb3を主成分とする熱電半導体からなりかつ少なくとも1対以上のp型およびn型の熱電素子2p,2nが当該熱電素子2p,2nの相対する両端面において電極層4(電極板4A)を介して電気的に接合した熱電変換モジュール1を製造するに際し、p型およびn型の熱電素子2p,2nが配列して固定されていると共に熱電素子2p,2nの両端面にPd,Pt,Ir,Co,Ni,Alのうちから選ばれる少なくとも1種の元素を主成分とする中間金属層3(Al溶射膜3A)が形成された熱電変換モジュールコア2を形成する工程と、電極層4を兼ねた端部金属層を(4)形成する工程を経るようにする。

請求項（抜粋）：

CoSb3を主成分とするp型あるいはn型の熱電半導体をそなえ、この熱電半導体の相対する両端面にPd,Pt,Ir,Co,Ni,Alのうちから選ばれる少なくとも1種の元素を主成分とする中間金属層が形成されていると共に、中間金属層の表面に端部金属層が形成されていることを特徴とする熱電素子。

IPC (3件)：

H01L 35/32 ,  H01L 35/18 ,  H01L 35/34

FI (3件)：

H01L 35/32 A ,  H01L 35/18 ,  H01L 35/34

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 熱電変換素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-082906   出願人：セイコー電子工業株式会社