特許

J-GLOBAL ID：200903022282153415

圧電磁器組成物

発明者： 川上 祥広
出願人/特許権者： エヌイーシートーキンセラミクス株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-389937
公開番号（公開出願番号）：特開2002-193666
出願日： 2000年12月22日
公開日（公表日）： 2002年07月10日
要約：

【要約】【課題】 高電界下での圧電歪量の大きな圧電磁器組成物を提供する。【解決手段】 圧電磁器組成物は、強誘電体ペロブスカイト型化合物において、組成式をABO<SB>3</SB>(A,Bサイトの構成元素は複数でも可)と表したときにAサイトとBサイトの比、A/BをXとしたとき0.98≦x<1.0となるように組成を調整することにより抗電界(Ec:強誘電体セラミックスにおいて分極反転させることのできる電界)より大きな電界を加えたときに発生する圧電歪量を化学量論組成A/B=1のときよりも大きくする。

請求項（抜粋）：

組成式aPb(Ni<SB>1/3</SB>Nb<SB>2/3</SB>)O<SB>3</SB>+bPbZrO<SB></SB><SB>3</SB>+cPbTiO<SB>3</SB>(a+b+c=100mol%)で表され、その組成範囲が、図1の三成分系座標で示す A(a=75mol%,b=0mol%.c=25mol%) B(a=65mol%,b=0mol%,c=35mol%) C(a=0mol%,b=45mol%,c=55mol%) D(a=0mol%.b=65mol%.c=35mol%)の各組成点を結ぶ線上およびこの4点に囲まれた領域とする範囲を母成分としたペロブスカイ卜化合物において,圧電歪定数d(pm/V)を向上させるため、Aサイト成分であるPbの量を0〜0.2mol%減らすことにより化学量論組成比(A/B)をxとしたとき0.98≦x<1.0となるように組成を調整した圧電磁器組成物であって、分極軸と同一方向に、抗電界Ec以上高電界を印加したときの圧電歪量が化学量論組成のときよりも大きくなるように構成したことを特徴とする圧電磁器組成物。

IPC (2件)：

C04B 35/49 ,  H01L 41/187

FI (2件)：

C04B 35/49 T ,  H01L 41/18 101 F

Fターム (8件)：

4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA14 ,  4G031AA23 ,  4G031AA32 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031GA02