特許

J-GLOBAL ID：200903022285155672

セラミック回路基板及びこれを用いた半導体装置

発明者： 堀内 道夫 ,  村松 茂次 ,  松木 隆一
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-110841
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298255
出願日： 1996年05月01日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置を実装した際に実装基板とセラミック基板との熱膨張係数の差に起因する熱応力が外部接続端子の接合部に作用して接合部が破損したり実装基板から剥離するといった問題を防止する。【解決手段】 所要の配線パターン34が設けられたセラミック基板32の外部接続端子12を接続する実装面側に、該セラミック基板32のセラミック材よりもヤング率が小さく電気的絶縁性を有する絶縁緩衝層40が被着形成され、該絶縁緩衝層40の外面に端子パッド14が設けられ、該端子パッド14と前記配線パターン34とが、前記絶縁緩衝層40を貫通して設けられた、前記絶縁緩衝層40とほぼ同等のヤング率を有する緩衝導電体部42を介して電気的に接続されたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

所要の配線パターンが設けられたセラミック基板の外部接続端子を接続する実装面側に、該セラミック基板のセラミック材よりもヤング率が小さく電気的絶縁性を有する絶縁緩衝層が被着形成され、該絶縁緩衝層の外面に端子パッドが設けられ、該端子パッドと前記配線パターンとが、前記絶縁緩衝層を貫通して設けられた、前記セラミック材よりもヤング率が小さい緩衝導電体部を介して電気的に接続されたことを特徴とするセラミック回路基板。