特許
J-GLOBAL ID:200903022287073495
注入形発光素子及びその製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
恩田 博宣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-190388
公開番号(公開出願番号):特開平5-037013
出願日: 1991年07月30日
公開日(公表日): 1993年02月12日
要約:
【要約】【目的】 新規なシリコンを用いた注入形発光素子を提供することにある。【構成】 直接遷移型多孔質シリコン8はpn接合を有する。直接遷移型多孔質シリコン8のpn接合の両側には、電極10,11が配置されている。そして、電極間の電圧印加により、直接遷移型多孔質シリコン8に少数キャリアの注入が起こりpn接合部でキャリアの再結晶が起こり発光する。
請求項(抜粋):
pn接合を有する直接遷移型多孔質シリコンと、前記直接遷移型多孔質シリコンのpn接合の両側に配置された電極とを備えたことを特徴とする注入形発光素子。
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