特許

J-GLOBAL ID：200903022287671597

半導体装置

発明者： 廣田 卓哉
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-122289
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313095
出願日： 1997年05月13日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】 チップ内に余分な場所を取らずに大きな容量素子を付加することのできる半導体装置を提供する。【解決手段】 ボンディングPAD直下に接続形成されている第1の多結晶シリコン層4と、薄いシリコン酸化膜3を介してその直下に存在する単結晶シリコン基板1によって形成した容量素子を持たせたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

ボンディングPAD直下に接続・形成されている第1の多結晶シリコン層と、薄いシリコン酸化膜を介してその直下に存在する単結晶シリコン基板によって形成した容量素子を持たせたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/88 T ,  H01L 27/04 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-293759
  
• 特開昭56-049556
  
• 特開平4-207514