半導体レーザおよびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-265964
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198894
出願日： 1992年10月05日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】変調ドーピングしたドーパントの拡散を抑制するとともに、クラッド層からのドーパントの拡散を抑制して、変調ドーピング構造の破壊を抑制する半導体レーザを提供する。【構成】 SnドープInP基板1、n-InGaAsP導波路層2、厚み5nmのInGaAs井戸層3、厚み3.5nmのアンドープ-InGaASP層4、厚み3nmのp-InGaAsP変調ドープ層5、厚み3.5nmのアンドープ-InGaAsP層6、井戸数10の変調ドープ量子井戸層7、厚み90nmのp-InGaAsPのZnストップ層8、p-InPクラッド層(Zn=7×1017cm-3)9、p-n-p電流ブロック層10、メサ形状の活性層領域よりなる。最後にAu/Snよりなるn側電極12、Au/Znよりなるp側電極13を蒸着してレーザ構造を得る。

請求項（抜粋）：

第1導伝型の化合物半導体基板と、前記基板上に第1の導波路層と、井戸層とバリア層が交互に積層され、前記バリア層に変調ドープされた変調ドープ量子井戸層と、ドーパントの拡散をストップするストップ層と、第2導伝型のクラッド層とが順に積層された構造であり、前記第1の導波路層は前記基板よりエネルギーギャップが同じか小さく、前記井戸層は前記第1の導波路層よりエネルギーギャップが小さく、前記バリア層は前記第1の導波路層と前記井戸層の中間のエネルギーギャップで、一部に前記基板と同じか異なる導伝型を有する変調ドープ層を含み、前記ストップ層は前記バリア層よりエネルギーギャップが同じか大きく、かつドーパントがその固溶限以下に添加された結晶であることを特徴とする半導体レーザ。

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