特許
J-GLOBAL ID：200903022299130770
ドライエツチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-179032
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003177
出願日： 1991年06月25日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：
【要約】【目的】 SiO2 系材料層の異方性ドライエッチングにおいて、下地のシリコン系材料層に対する高選択性, 低汚染性, 低ダメージ性を達成する。【構成】 少なくとも下地との界面付近では、フッ化イオウと窒素系化合物とを含むエッチング・ガスを用い、下地の表面に窒化イオウ系化合物を堆積させる。実用的にはエッチングを2段階化し、S2 F2 ,NF3 ,c-C4 F8 等を用いてSiO2 層間絶縁膜3の膜厚方向の大部分を高速にエッチングした後、S2 F2 /N2 系を基本とする混合ガスを用いて残余部をエッチングする。不純物拡散領域2が露出した時点でその表面に形成される窒化イオウ系堆積膜7は、ポリマー状の(SN)n を主体としており、F* 等のラジカルの侵入を防止すると共に、いわゆるスポンジ効果によりイオン衝撃を効果的に緩和する。
請求項（抜粋）：
被エッチング基板の温度を室温以下に制御し、S2 F2 ,SF2 ,SF4 ,S2 F10から選ばれる少なくとも1種類の化合物と窒素系化合物とを含むエッチング・ガスを用いて酸化シリコン系材料層のエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/302
, H01L 21/316
