特許
J-GLOBAL ID：200903022300563243
半導体製造装置でのノンプラズマクリーニング方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
北谷 寿一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-333968
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099187
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【目的】 治具等にダメージを与えることなく、低温で、かつ短時間にクリーニングできるクリーニング方法を提供する。【構成】 半導体製造装置の薄膜形成操作系内に存在する膜状堆積物に、三フッ化窒素にフッ素系ガスを混合させたクリーニングガスをノンプラズマの状態で接触させる。
請求項（抜粋）：
半導体製造装置での薄膜形成操作系内に存在する膜状堆積物を除去するにあたり、当該形成操作系内に存在する膜状堆積物に、三フッ化窒素にその他のフッ素系ガスを混合させたクリーニングガスをノンプラズマの状態で接触させることを特徴とする半導体製造装置でのノンプラズマクリーニングング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, C01B 33/00
, C01B 35/00
