半導体装置の製造方法、基板処理方法、及び半導体製造装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：油井透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-160154
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075891
出願日： 2001年05月29日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】ドーパントガスを流すタイミングを変えることによって、シリコン膜中へのリン拡散が容易で、リン拡散濃度を容易に制御できるようにする。【解決手段】表面にアモルファスシリコン膜12が形成されたSiウェーハ10を拡散炉に挿入する。挿入後、前記アモルファスシリコン膜12が結晶化してポリシリコン膜に変化する前から、ウェーハ15上にホスフィン(PH3)又はホスフィンを含む混合ガスを流し始めて、シリコン膜12中にリンを拡散させる。

請求項（抜粋）：

表面にシリコン膜が形成された基板を処理温度まで昇温させる工程と、前記シリコン膜中にリンを拡散させる工程とを有し、前記基板を処理温度まで昇温させる過程において、前記基板をホスフィン又はホスフィンを含む混合ガスに晒して、前記シリコン膜中にリンを拡散させることを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (1件)

熱処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-013532 出願人：東京エレクトロン株式会社

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